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24106Imagen STL4P2UH7STMicroelectronics

STL4P2UH7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STL4P2UH7
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STL4P2UH7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerFlat™ (2x2)
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    100 mOhm @ 2A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.4W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-PowerWDFN
  • Otros nombres
    497-14996-2
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    4.8nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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