STL4P3LLH6

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Especificaciones

Número de pieza

STL4P3LLH6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL4P3LLH6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (2x2)
Serie

DeepGATE™, STripFET™ H6
RDS (Max) @Id, Vgs

56 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-PowerWDFN
Otros nombres

497-15510-2
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

639pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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STL51N3LLH5

Descripción: MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56

Fabricantes: STMicroelectronics

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