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1442724Imagen STPSC8H065B-TRSTMicroelectronics

STPSC8H065B-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STPSC8H065B-TR
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STPSC8H065B-TR.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.75V @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    497-13455-6
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -40°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Surface Mount DPAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    80µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    8A
  • Capacitancia Vr, F
    414pF @ 0V, 1MHz
  • Número de pieza base
    STPSC8H065

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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