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5894846Imagen STPSC8TH13TISTMicroelectronics

STPSC8TH13TI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STPSC8TH13TI
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.STPSC8TH13TI.pdf
    2.STPSC8TH13TI.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.75V @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB Insulated
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    497-14201-5
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -40°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • configuración de diodo
    1 Pair Series Connection
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Series Connection Silicon Carbide Schottky 650V 8A Through Hole TO-220-3
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    80µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    8A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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