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783194Imagen STS9D8NH3LLSTMicroelectronics

STS9D8NH3LL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STS9D8NH3LL
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STS9D8NH3LL.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    STripFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    22 mOhm @ 4A, 10V
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    497-6030-2
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    857pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 9A 2W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    8A, 9A
  • Número de pieza base
    ST*9D8NH

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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