STS9NF30L

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Especificaciones

Número de pieza

STS9NF30L
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STS9NF30L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±18V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

STripFET™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

497-3234-2
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 9A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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STS8DN3LLH5

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Fabricantes: STMicroelectronics

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