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Casa > Productos > Aisladores > Optoisolators-triac, salida del SCR > S12ME1FY
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6988148Imagen S12ME1FYSharp Microelectronics

S12ME1FY

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S12ME1FY
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Diámetro del eje (mm)
    No
  • Tensión - Estado Off
    400V
  • Voltaje - Aislamiento
    4000Vrms
  • Voltaje hacia delante (Vf) (típico)
    1.2V
  • Activar hora
    50µs (Max)
  • Paquete del dispositivo
    6-DIP
  • Estática dV / dt (Min)
    3V/µs
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads
  • Tipo de salida
    SCR
  • Otros nombres
    425-1239-5
  • Temperatura de funcionamiento
    -30°C ~ 100°C
  • número de canales
    1
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    Optoisolator SCR Output 4000Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Corriente - En estado (It (RMS)) (Max)
    200mA
  • Corriente - LED Trigger (Ift) (Max)
    10mA
  • Corriente - Hold (Ih)
    1mA
  • Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)
    50mA
  • aprobaciones
    BSI, UR, VDE
S12MC R7G

S12MC R7G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12ZVMBEVB

S12ZVMBEVB

Descripción: S12ZVMBEVB EVALUATION BOARD

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12MC M6G

S12MC M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12ZVMC256EVB

S12ZVMC256EVB

Descripción: S12ZVMC256 EVALUATION BOARD

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Descripción: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12VR64EVB

S12VR64EVB

Descripción: BOARD EVAL S12VR64 MCU

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12ZVMC12EVBCAN

S12ZVMC12EVBCAN

Descripción: BOARD EVAL S12ZVM

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12QR

S12QR

Descripción: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12KR

S12KR

Descripción: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12ZVM32EVB

S12ZVM32EVB

Descripción: S12ZVM32 EVALUATION BOARD FOR BL

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12VR32EVB

S12VR32EVB

Descripción: EVALUATION BOARD FOR S12VR32EVB

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12MC V7G

S12MC V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12MD3

S12MD3

Descripción: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
S12MR

S12MR

Descripción: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12MC V6G

S12MC V6G

Descripción: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12Q

S12Q

Descripción: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12VR64EVB3

S12VR64EVB3

Descripción: S12VR64 EVAL BOARD

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12M

S12M

Descripción: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles

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