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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > S12MC V6G
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3013829Imagen S12MC V6GTSC (Taiwan Semiconductor)

S12MC V6G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S12MC V6G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 12A DO214AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AB (SMC)
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AB, SMC
  • Otros nombres
    S12MC V6G-ND
    S12MCV6G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    12A
  • Capacitancia Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12KC R7G

S12KC R7G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12Q

S12Q

Descripción: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12KC M6G

S12KC M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12M

S12M

Descripción: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12KC V7G

S12KC V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12MC M6G

S12MC M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12VR32EVB

S12VR32EVB

Descripción: EVALUATION BOARD FOR S12VR32EVB

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12ME1FY

S12ME1FY

Descripción: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
S12MC V7G

S12MC V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12QR

S12QR

Descripción: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12MC R7G

S12MC R7G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12KR

S12KR

Descripción: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Descripción: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12VR64EVB

S12VR64EVB

Descripción: BOARD EVAL S12VR64 MCU

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S12MR

S12MR

Descripción: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12KC V6G

S12KC V6G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12MD3

S12MD3

Descripción: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles

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