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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > BAS316WS RRG
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3384710Imagen BAS316WS RRGTSC (Taiwan Semiconductor)

BAS316WS RRG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BAS316WS RRG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 250MA SOD323F
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BAS316WS RRG.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.25V @ 150mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    SOD-323F
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-90, SOD-323F
  • Otros nombres
    BAS316WS RRGCT
    BAS316WS RRGCT-ND
    BAS316WSRRGCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    30 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 250mA Surface Mount SOD-323F
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 75V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    250mA
  • Capacitancia Vr, F
    1.5pF @ 0V, 1MHz

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Fabricantes: Nexperia
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Descripción: DIODE GEN PURP 250MA SOD323

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

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Fabricantes: Nexperia
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Fabricantes: Nexperia
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BAS316/ZLF

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
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