Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > BAS316,H3F
RFQs/Orden (0)
español
español
6069289

BAS316,H3F

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
3000+
$0.032
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    BAS316,H3F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BAS316,H3F.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.25V @ 150mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    USC
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    3ns
  • Paquete / Cubierta
    SC-76, SOD-323
  • Otros nombres
    BAS316H3F
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 250mA Surface Mount USC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    200nA @ 80V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    250mA
  • Capacitancia Vr, F
    0.35pF @ 0V, 1MHz

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024

What is an embedded system?

12/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "BAS316,H3F".
BAS31,215

BAS31,215

Descripción: DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS316,135

BAS316,135

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS31

BAS31

Descripción: DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
BAS316WS RRG

BAS316WS RRG

Descripción: DIODE GEN PURP 250MA SOD323F

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
BAS316-TP

BAS316-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
RFQ
BAS316Z

BAS316Z

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS321/8X

BAS321/8X

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS31,235

BAS31,235

Descripción: DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS3010A03WE6327HTSA1

BAS3010A03WE6327HTSA1

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
BAS3010B03WE6327HTSA1

BAS3010B03WE6327HTSA1

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

Fabricantes: Infineon Technologies
Existencias disponibles
RFQ
BAS316/ZLF

BAS316/ZLF

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
RFQ
BAS316 RRG

BAS316 RRG

Descripción: DIODE GEN PURP 250MA SOD323

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
BAS3020BH6327XTSA1

BAS3020BH6327XTSA1

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT363-6

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
RFQ
BAS321/ZLF

BAS321/ZLF

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
RFQ
BAS316,115

BAS316,115

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS321,135

BAS321,135

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS321,115

BAS321,115

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS321/8F

BAS321/8F

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
BAS31-D87Z

BAS31-D87Z

Descripción: DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
BAS316/ZLX

BAS316/ZLX

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.