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F1T1GHA0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    F1T1GHA0G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    F1T1GHA0G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    50V
  • Paquete del dispositivo
    TS-1
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Tape & Box (TB)
  • Paquete / Cubierta
    T-18, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 50V 1A Through Hole TS-1
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 50V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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