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F1T3G A1G

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Especificaciones

Número de pieza

F1T3G A1G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

F1T3G A1G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

TS-1
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

150ns
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

T-18, Axial
Otros nombres

F1T3G A1G-ND
F1T3GA1G
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 1A Through Hole TS-1
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

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