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Imagen HERF1008GAHC0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

HERF1008GAHC0G

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Especificaciones

Número de pieza

HERF1008GAHC0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE, HIGH EFFICIENT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

HERF1008GAHC0G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.7V @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1000V
Paquete del dispositivo

ITO-220AB
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

80ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1000V 10A Through Hole ITO-220AB
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io)

10A
Capacitancia Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

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