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Imagen HS1B R3G

TSC (Taiwan Semiconductor)

HS1B R3G

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Especificaciones

Número de pieza

HS1B R3G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HS1B R3G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

DO-214AC (SMA)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

DO-214AC, SMA
Otros nombres

HS1B R3GDKR
HS1B R3GDKR-ND
HS1BR3GDKR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

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