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Imagen HS1BL RTG

TSC (Taiwan Semiconductor)

HS1BL RTG

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Especificaciones

Número de pieza

HS1BL RTG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HS1BL RTG.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

950mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

Sub SMA
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-219AB
Otros nombres

HS1BL RTG-ND
HS1BLRTG
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 100V 1A Surface Mount Sub SMA
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

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