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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RS1GFSHMXG
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6809680Imagen RS1GFSHMXGTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1GFSHMXG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1GFSHMXG
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE, FAST, 1A, 400V
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    SOD-128
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOD-128
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SOD-128
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    7pF @ 4V, 1MHz
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Descripción: DIODE, FAST, 1A, 400V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1GL MQG

RS1GL MQG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1GL MTG

RS1GL MTG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GB-13

RS1GB-13

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1GFA

RS1GFA

Descripción: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RS1GL M2G

RS1GL M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles

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