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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RS1GHE3_A/H
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1020918Imagen RS1GHE3_A/HElectro-Films (EFI) / Vishay

RS1GHE3_A/H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1GHE3_A/H
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    RS1GHE3_A/HGICT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    RS1G
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GL R3G

RS1GL R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1GL MQG

RS1GL MQG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GL M2G

RS1GL M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GFA

RS1GFA

Descripción: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Descripción: DIODE, FAST, 1A, 400V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GB-13

RS1GB-13

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GL MTG

RS1GL MTG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Descripción: DIODE, FAST, 1A, 400V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1GL RFG

RS1GL RFG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GL RHG

RS1GL RHG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles

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