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4132391Imagen RS1GL RHGTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1GL RHG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1GL RHG
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 800mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    Sub SMA
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-219AB
  • Otros nombres
    RS1GL RHG-ND
    RS1GLRHG
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    800mA
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1GLHM2G

RS1GLHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GLHMTG

RS1GLHMTG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GLHR3G

RS1GLHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1GL RVG

RS1GL RVG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GLHMHG

RS1GLHMHG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GL RUG

RS1GL RUG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1GL RQG

RS1GL RQG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1GL R3G

RS1GL R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1GL RTG

RS1GL RTG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1GL MQG

RS1GL MQG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1GL MTG

RS1GL MTG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1GHM2G

RS1GHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1GL RFG

RS1GL RFG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1GHR3G

RS1GHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1GL M2G

RS1GL M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

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RS1GLHRFG

RS1GLHRFG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

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RS1GLHMQG

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