RS3J V7G

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Especificaciones

Número de pieza

RS3J V7G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
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Descripción

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RS3J V7G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

DO-214AB (SMC)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

250ns
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

DO-214AB, SMC
Otros nombres

RS3J V7GDKR
RS3J V7GDKR-ND
RS3JV7GDKR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-

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