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TSM089N08LCR RLG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM089N08LCR RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
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Descripción

MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM089N08LCR RLG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PDFN (5x6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8.9 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

83W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

TSM089N08LCR RLGTR
TSM089N08LCR RLGTR-ND
TSM089N08LCRRLGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6119pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

90nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 67A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

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