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Imagen TSM301K12CQ RFG

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM301K12CQ RFG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM301K12CQ RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-TDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM301K12CQ RFG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

500mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TDFN (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

6.5W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-VDFN Exposed Pad
Otros nombres

TSM301K12CQ RFGCT
TSM301K12CQ RFGCT-ND
TSM301K12CQRFGCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

52 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5.2pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4.5A (Ta) 6.5W (Tc) Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

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