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Imagen TSM2NB65CH X0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM2NB65CH X0G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM2NB65CH X0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM2NB65CH X0G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251 (IPAK)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

65W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres

TSM2NB65CH X0G-ND
TSM2NB65CHX0G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 2A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

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