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5500911Imagen TSM60NB190CI C0GTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM60NB190CI C0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSM60NB190CI C0G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 18A ITO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TSM60NB190CI C0G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    ITO-220
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    190 mOhm @ 6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    33.8W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Otros nombres
    TSM60NB190CI C0G-ND
    TSM60NB190CIC0G
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    24 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1273pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole ITO-220
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

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