TSM60NB1R4CH C5G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM60NB1R4CH C5G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM60NB1R4CH C5G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251 (IPAK)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4 Ohm @ 900mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

28.4W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

TSM60NB1R4CH C5G-ND
TSM60NB1R4CHC5G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

257.3pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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TSM60NB600CF C0G

Descripción: MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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