TSM8N80CI C0G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM8N80CI C0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A ITO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM8N80CI C0G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ITO-220
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.05 Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40.3W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres

TSM8N80CI C0G-ND
TSM8N80CIC0G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1921pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

41nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole ITO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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