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4031329Imagen TSM900N06CH X0GTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM900N06CH X0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSM900N06CH X0G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TSM900N06CH X0G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-251 (IPAK)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    90 mOhm @ 6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    25W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Otros nombres
    TSM900N06CH X0G-ND
    TSM900N06CHX0G
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    28 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    9.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

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