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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > TC58NVG2S0HTAI0
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2465109Imagen TC58NVG2S0HTAI0Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TC58NVG2S0HTAI0
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    25ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND (SLC)
  • Paquete del dispositivo
    48-TSOP I
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Otros nombres
    TC58NVG2OHTAIOB4H
    TC58NVG2S0HTAI0B4H
    TC58NVG2S0HTAI0Y0L
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Tiempo de acceso
    25ns
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6

Descripción: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4

Descripción: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4

Descripción: 2G NAND SLC 24NM BGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC59000001

TC59000001

Descripción: OSC MEMS 59MHZ 3.3V SMD

Fabricantes: TXC Corporation
Existencias disponibles
TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC593002ECBTR

TC593002ECBTR

Descripción: IC REG LINEAR -3V 80MA SOT23-3

Fabricantes: Micrel / Microchip Technology
Existencias disponibles
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC593

TC593

Descripción: CAP ALUM 150UF 300V AXIAL

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Existencias disponibles
TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC59

TC59

Descripción: CAP ALUM 50UF 250V AXIAL

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Existencias disponibles
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG3S0FTA00

TC58NVG3S0FTA00

Descripción: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles

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