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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > TC58NVG3S0FTA00
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2818671Imagen TC58NVG3S0FTA00Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG3S0FTA00

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TC58NVG3S0FTA00
  • Fabricante / Marca
    Kioxia America, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TC58NVG3S0FTA00.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    25ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND (SLC)
  • Paquete del dispositivo
    48-TSOP I
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Otros nombres
    TC58NVG3S0FTA00B4H
    TC58NVG3S0FTA00YCJ
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    8Gb (1G x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Tiempo de acceso
    25ns

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

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Descripción: CAP ALUM 200UF 300V AXIAL

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
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Descripción: CAP ALUM 150UF 300V AXIAL

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
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TC58NVG2S0HTA00

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
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Descripción: 2G NAND SLC 24NM BGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
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Descripción: OSC MEMS 59MHZ 3.3V SMD

Fabricantes: TXC Corporation
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