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6372732Imagen 2SA965-Y,T6F(JToshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SA965-Y,T6F(J
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SA965-Y,T6F(J.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    120V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    LSTM
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    900mW
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Otros nombres
    2SA965-YT6F(J
    2SA965YT6FJ
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    120MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 100mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    800mA

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