2SA965-O,F(J

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Especificaciones

Número de pieza

2SA965-O,F(J
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SA965-O,F(J.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

120V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

LSTM
Serie

-
Potencia - Max

900mW
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Otros nombres

2SA965-OF(J
2SA965OFJ
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

120MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

800mA

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