2SJ681(Q)

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Especificaciones

Número de pieza

2SJ681(Q)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.2SJ681(Q).pdf
2.2SJ681(Q).pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PW-MOLD2
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

170 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

20W (Ta)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Ta) Through Hole PW-MOLD2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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