2SJ661-1E

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Especificaciones

Número de pieza

2SJ661-1E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 38A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SJ661-1E.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-262-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

39 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.65W (Ta), 65W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4360pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

80nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole TO-262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Ta)

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