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BAS516,L3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BAS516,L3F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BAS516,L3F.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.25V @ 150mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    ESC
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    3ns
  • Paquete / Cubierta
    SC-79, SOD-523
  • Otros nombres
    BAS516L3F
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 250mA Surface Mount ESC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    200nA @ 80V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    250mA
  • Capacitancia Vr, F
    0.35pF @ 0V, 1MHz

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Descripción: DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523

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BAS5202VH6433XTMA1

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323

Fabricantes: Nexperia
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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323

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Descripción: DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523

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Descripción: DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: BAS521B/SOD523/SC-79

Fabricantes: Nexperia
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BAS45A,143

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Descripción: DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34

Fabricantes: Nexperia
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