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CUHS10F60,H3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CUHS10F60,H3F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CUHS10F60,H3F.pdf
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    60V
  • Paquete del dispositivo
    US2H
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    2-SMD, Flat Lead
  • Otros nombres
    CUHS10F60H3FCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Schottky 60V 1A Surface Mount US2H
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    40µA @ 60V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    130pF @ 0V, 1MHz

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