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1144848Imagen HN2C01FU-Y(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    HN2C01FU-Y(TE85L,F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HN2C01FU-Y(TE85L,F.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Tipo de transistor
    2 NPN (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    US6
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Otros nombres
    HN2C01FU-Y(TE85LFTR
  • Temperatura de funcionamiento
    125°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    80MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    150mA

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Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descripción: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descripción: AC/DC CONVERTER 28V 84W

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Descripción: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

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