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5985419Imagen HN2D01JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    HN2D01JE(TE85L,F)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HN2D01JE(TE85L,F).pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    80V
  • Paquete del dispositivo
    ESV
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    1.6ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-553
  • Otros nombres
    HN2D01JE(TE85LF)CT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    2 Independent
  • Descripción detallada
    Diode Array 2 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount SOT-553
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    500nA @ 80V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100mA

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