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5845028Imagen RN1108ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN1108ACT(TPL3)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RN1108ACT(TPL3).pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    CST3
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potencia - Max
    100mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-101, SOT-883
  • Otros nombres
    RN1108ACT(TPL3)TR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    80mA

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