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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > RN1110(T5L,F,T)

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Imagen RN1110(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

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Especificaciones

Número de pieza

RN1110(T5L,F,T)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN1110(T5L,F,T).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SSM
Serie

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

100mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-75, SOT-416
Otros nombres

RN1110(T5LFT)CT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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