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RN1116MFV,L3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN1116MFV,L3F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RN1116MFV,L3F.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    VESM
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potencia - Max
    150mW
  • Paquete / Cubierta
    SOT-723
  • Otros nombres
    RN1116MFVL3F
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN111PC

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RN112-0.4-02-39M

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RN1117MFV,L3F

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Descripción: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

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Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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Descripción: CMC 39MH 400MA 2LN TH

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Descripción: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
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RN1113CT(TPL3)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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Descripción: CMC 27MH 400MA 2LN TH

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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