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2209400Imagen RN1118(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN1118(T5L,F,T)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RN1118(T5L,F,T).pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    SSM
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potencia - Max
    100mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-75, SOT-416
  • Otros nombres
    RN1118(T5LFT)TR
    RN1118T5LFT
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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RN1113MFV,L3F

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Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN112-0.5-02-27M

RN112-0.5-02-27M

Descripción: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN112-0.5-02

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Descripción: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN111PC

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Descripción: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Fabricantes: Conxall / Switchcraft
Existencias disponibles
RFQ
RN112-0.4-02-39M

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Descripción: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN1114MFV,L3F

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Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
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RN112-0.4-02

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Descripción: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN112-0.4-02-27M

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Descripción: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN1116MFV,L3F

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Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN112-0.5-02-18M

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Descripción: CMC 18MH 500MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN1117MFV,L3F

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Descripción: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1116(TE85L,F)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN112-0.5-02-15M

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Descripción: CMC 15MH 500MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN1119MFV,L3F

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Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1118MFV,L3F

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Descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
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RN1113CT(TPL3)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
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RN1114(T5L,F,T)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1115,LF(CT

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1115MFV,L3F

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
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