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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > RN1311,LF
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RN1311,LF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN1311,LF
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RN1311,LF.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    USM
  • Serie
    -
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potencia - Max
    100mW
  • Paquete / Cubierta
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    RN1311LF
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

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Fabricantes: Micrel / Microchip Technology
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RN1312(TE85L,F)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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