RN1306,LF

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Especificaciones

Número de pieza

RN1306,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN1306,LF.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

USM
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

100mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

RN1306LFDKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Descripción: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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