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4831731Imagen RN1910FE,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE,LF(CT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN1910FE,LF(CT
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RN1910FE,LF(CT.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    ES6
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potencia - Max
    100mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Otros nombres
    RN1910FE,LF(CB
    RN1910FELF(CTTR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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