RN1910,LF(CT

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Especificaciones

Número de pieza

RN1910,LF(CT
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN1910,LF(CT.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

US6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

100mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

RN1910(T5LFT)DKR
RN1910(T5LFT)DKR-ND
RN1910LF(CTDKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Los siguientes son productos relacionados con "RN1910,LF(CT".

RN1910FE(T5L,F,T)

Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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