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1222932Imagen SSM3J120TU,LFToshiba Semiconductor and Storage

SSM3J120TU,LF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM3J120TU,LF
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 4A UFM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.SSM3J120TU,LF.pdf
    2.SSM3J120TU,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    UFM
  • Serie
    U-MOSIV
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    38 mOhm @ 3A, 4V
  • La disipación de energía (máximo)
    500mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    3-SMD, Flat Leads
  • Otros nombres
    SSM3J120TU(T5LT)CT
    SSM3J120TU(T5LT)CT-ND
    SSM3J120TU(TE85L)CT
    SSM3J120TU(TE85L)CT-ND
    SSM3J120TULFCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1484pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    22.3nC @ 4V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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