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6395371Imagen SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and Storage

SSM3J15FV,L3F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM3J15FV,L3F
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SSM3J15FV,L3F.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.7V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    VESM
  • Serie
    π-MOSVI
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12 Ohm @ 10mA, 4V
  • La disipación de energía (máximo)
    150mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-723
  • Otros nombres
    SSM3J15FV,L3F(B
    SSM3J15FV,L3F(T
    SSM3J15FVL3FTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9.1pF @ 3V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

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