SSM6H19NU,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6H19NU,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6H19NU,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-UDFN (2x2)
Serie

U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

SSM6H19NU,LF(B
SSM6H19NU,LF(T
SSM6H19NULFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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SSM6J207FE,LF

Descripción: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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