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2158127Imagen SSM6J212FE,LFToshiba Semiconductor and Storage

SSM6J212FE,LF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SSM6J212FE,LF
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 4A ES6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.SSM6J212FE,LF.pdf
    2.SSM6J212FE,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    ES6
  • Serie
    U-MOSVI
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    40.7 mOhm @ 3A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    500mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Otros nombres
    SSM6J212FE(TE85L,F
    SSM6J212FE(TE85LFTR
    SSM6J212FE(TE85LFTR-ND
    SSM6J212FE,LF(CA
    SSM6J212FELF
    SSM6J212FELFTR
    SSM6J212FETE85LF
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    970pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    14.1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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