SSM6K781G,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6K781G,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6K781G,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-WCSPC (1.5x1.0)
Serie

U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

18 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UFBGA, WLCSP
Otros nombres

SSM6K781G,LF(S
SSM6K781GLFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

N-Channel 12V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-WCSPC (1.5x1.0)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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