SSM6L35FE,LM

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6L35FE,LM
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SSM6L35FE,LM.pdf
2.SSM6L35FE,LM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

ES6 (1.6x1.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 50mA, 4V
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

SSM6L35FE(TE85LF)TR
SSM6L35FE(TE85LF)TR-ND
SSM6L35FE,LM(B
SSM6L35FE,LM(T
SSM6L35FELM(TTR
SSM6L35FELM(TTR-ND
SSM6L35FELMTR
SSM6L35FETE85LF
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180mA, 100mA
Número de pieza base

SSM6L35

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SSM6N357R,LF

Descripción: SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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